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飞思卡尔MRAM产品已投产，旨在替代SRAM
http://www.ic36.com 2006年8月31日10:3 国际电子商情
飞思卡尔半导体(Freescale)目前已经批量生产和提供其首款商用磁阻随机存取存储器(MRAM)设备。据介绍，该公司4兆位(Mbit)MRAM是一款快速的非易失性存储器产品，具有极强的耐用性——结合了其它任何单个半导体存储器都不具备的多种特性。该设备基于飞思卡尔的超过100项专利所保护的技术，包括跳变位（Toggle-bit）切换。
“为了率先推出MRAM，各公司之间的竞争异常激烈，”Semico Research的Bob Merritt说，
MRAM采用磁铁作为存储器单元。它是一种随机存取存储器，其存储的数据取决于磁铁的磁性方向。MRAM是一种当电源切断后仍可保持数据的非易挥发性存储器，同时具有高速运行和无限重写能力。人们期待，这种由各种类型的存储器所提供的执行功能能力将使MRAM成为下一代存储器的有力竞争者。大多数正在开发的MRAM都是基于传统的磁场数据写入，它可以支持快速的运行速度。
MRAM采用磁性材料，同时结合传统的硅电路，使单个的高耐用性设备既具备SRAM的速度，又拥有闪存的非易失性。飞思卡尔成功地将该技术投入商用，将促进新型电子产品的显著改进，包括规格、成本、功耗和系统性能方面的改进。
飞思卡尔第一款商用MRAM产品的名称为MR2A16A，适用于多种商业应用，包括联网、安全、数据存储、游戏和打印机等。该部件经济而又可靠，是替代battery-backed SRAM单元的理想产品。该设备还可用于cache buffers、configuration storage memories以及其它需要MRAM的速度、灵活性和稳定性的应用。
据介绍，MR2A16A可在商用产品温度范围内运行，运行电压为3.3伏，读写周期为35 nanosecond。它是256K words by 16 bits的异步存储器。该产品采用行业标准的SRAM引线输出引脚，从而实现了系统设计的灵活性，而不会发生总线冲突。该设备采用400毫米的TSOP type-II RoHS封装，在飞思卡尔位于亚利桑那州的200毫米Chandler Fab制造。
“为了率先推出MRAM，各公司之间的竞争异常激烈，”Semico Research的Bob Merritt说，
“随着MRAM的商用，飞思卡尔率先将这种技术推向市场，从而带来巨大的可能性和潜力。”
MRAM采用磁铁作为存储器单元。它是一种随机存取存储器，其存储的数据取决于磁铁的磁性方向。MRAM是一种当电源切断后仍可保持数据的非易挥发性存储器，同时具有高速运行和无限重写能力。人们期待，这种由各种类型的存储器所提供的执行功能能力将使MRAM成为下一代存储器的有力竞争者。大多数正在开发的MRAM都是基于传统的磁场数据写入，它可以支持快速的运行速度。
MRAM采用磁性材料，同时结合传统的硅电路，使单个的高耐用性设备既具备SRAM的速度，又拥有闪存的非易失性。飞思卡尔成功地将该技术投入商用，将促进新型电子产品的显著改进，包括规格、成本、功耗和系统性能方面的改进。
飞思卡尔第一款商用MRAM产品的名称为MR2A16A，适用于多种商业应用，包括联网、安全、数据存储、游戏和打印机等。该部件经济而又可靠，是替代battery-backed SRAM单元的理想产品。该设备还可用于cache buffers、configuration storage memories以及其它需要MRAM的速度、灵活性和稳定性的应用。
据介绍，MR2A16A可在商用产品温度范围内运行，运行电压为3.3伏，读写周期为35 nanosecond。它是256K words by 16 bits的异步存储器。该产品采用行业标准的SRAM引线输出引脚，从而实现了系统设计的灵活性，而不会发生总线冲突。该设备采用400毫米的TSOP type-II RoHS封装，在飞思卡尔位于亚利桑那州的200毫米Chandler Fab制造。
（关键词）：存储器 非易失性
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