这款全新高速移动RAM的数据传输速率为366兆比特/秒，比标准DDR266 DRAM快30%。在系统设计不改变的前提下，该性能记录是采用常规BGA封装方式实现的。作为移动RAM市场的领导者，奇梦达与主要的客户和领先处理器厂商密切合作，确保2007年推出的系统平台的互通性。 这款移动RAM不但具备电池供电设备所需的超低功耗，而且采用了适用于板卡空限受限产品的极其紧凑的芯片级封装。立足于自身的节电型沟道技术，以及电源管理特性，例如TCSR(温度补偿自刷新)、PASR(部分阵列自刷新)、OTCS(片上温度传感器)和DPD(深度省电)模式，奇梦达在最新推出的移动RAM上实现了工作电流最小化，从而延长了电池工作时间。

奇梦达正在供应存储密度高达512Mb、工作电压为2.5V和1.8V、速率为183兆赫的SDR和DDR移动RAM。183兆赫DDR366移动RAM的设计样品现已供货，其存储密度为512Mb，电源电压为1.8V，采用60球FBGA封装。

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