4. 经过氧化光刻平面化变成IC晶圆

将裸晶圆送到晶圆加工厂，放入高温炉中加热，使其表面表面生成一层二氧化硅膜；

光刻过程就是使用光在感光层中刻出相应的刻痕；

然后用化学或物理的方法在晶圆表面刻蚀成相应图形；

其次，还要对暴露在外的硅层通过化学方式进行掺杂离子轰击注入，生成N沟道/P沟道或源/漏。

在每层之间采用金属薄膜沉积和刻蚀技术获得层间的导电连接。

重复这些步骤，然后就出现了一个多层立体架构, 就是你目前使用的处理器的萌芽状态了。