清华大学推出中国芯TH6020、TH6060
多晶发射极微波SiGe/Si HBT简介
研究表明，应变SiGe材料的能带结构具有Eg小、且Si与应变SiGe间的能带偏移几乎全部发生在价带。因此，对SiGe/Si异质结的NPN晶体管而言，基区能带结构主要表现为价带上移，使基区向发射区注入空穴需克服的势垒增加，从而增加了发射结的发射效率，使晶体管的直流放大系数得以提高。这就允许提高基区的掺杂浓度，使得基区厚度可以做得很薄，减少了基区渡越时间，而高的基区掺杂浓度既有效地抑制了发射极电流集边效应，其穿通电压又不至于很低。图1为Si 双极晶体管和SiGe/Si HBT能带示意图(NPN)。
在SiGe/Si HBT中，高掺杂的SiGe基区薄层对高频晶体管常见的EARLY效应、发射极电流集边效应有很好的抑制作用，同时还可以减小基区渡越时间，这些都使得SiGe/Si HBT比硅BJT有更好的直流特性和高频特性。
NPN型SiGe HBT TH6020GMOO电特性（25。C）
参数名称 |
符号 |
测试条件 |
最小 |
典型 |
最大 |
单位 |
集电极-基极击穿电压 |
BVcbo |
Ic=0.01mA，Ie=0 |
20 |
|
|
V |
集电极-发射极击穿压 |
BVceo |
Ic=1mA,Ib=0 |
12 |
|
|
V |
发射极-基极击穿电压 |
BVebo |
Ie=0.01mA,Ic=0 |
1.5 |
|
|
V |
集电极-基极反向电流 |
Icbo |
Vcb=10V，Ie=0 |
|
|
1 |
μA |
集电极-发射极反向电流 |
Iceo |
Vce=10V，IB=O |
|
|
10 |
μA |
发射极-基极反向电流 |
Iebo |
Veb=1V，Ic=0 |
|
|
10 |
μA |
直流电流放大系数 |
hfe |
Vce=10V,Ic=20mA |
50 |
250 |
500 |
|
特征频率 |
ft |
Vce=10V,Ic=20mA,f=1GHz |
5 |
7 |
|
GHz |
插入功率增益 |
[S21e]2 |
Vce=10V,Ic=20mA,f=1GHz |
|
11.5 |
|
dB |
噪声系数 |
Nf |
Vce=10V,Ic=7mA,f=1GHz |
|
1.1 |
2 |
dB |
最大额定值 |
|
|
|
|
|
|
参数名称 |
符号 |
数值单 位 |
|
|
|
|
最大耗散功率 |
PT |
200mW |
|
|
|
|
最大集电极直流电流 |
ICM |
100mA |
|
|
|
|
最高结温 |
Tj |
150C |
|
|
|
|
其它说明 |
|
|
|
|
|
|
芯片尺寸 |
|
0.25*0.3mm |
|
|
|
|
芯片厚度 |
|
0.2mm |
|
|
|
|
压焊点尺寸 |
|
0.06mm |
|
|
|
|
背面金属 |
|
Au |
|
|
|
|
压焊点金属 |
|
Al |
|
|
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TH6020主要应用：
TH6020可替代下列产品：
TH6020管芯尺寸
NPN型SiGe HBT TH6060MOO电特性（25。C）
参数名称 |
符号 |
测试条件 |
最小 |
典型 |
最大 |
单位 |
集电极-基极击穿电压 |
Bvcbo |
Ic=0.1mA，Ie=0 |
30 |
|
|
V |
集电极-发射极击穿压 |
Bvceo |
Ic=1mA,Ib=0 |
15 |
20 |
|
V |
发射极-基极击穿电压 |
Bvebo |
Ie=0.1mA,Ic=0 |
1.5 |
|
|
V |
集电极-基极反向电流 |
Icbo |
Vcb=15v，Ie=0 |
|
|
0.01 |
mA |
集电极-发射极反向电流 |
Iceo |
Vce=10v，IB=O |
|
|
0.05 |
mA |
发射极-基极反向电流 |
Iebo |
Veb=1v，Ic=0 |
|
|
0.01 |
mA |
直流电流放大系数 |
hfe |
Vce=5v,Ic=50mA |
40 |
100 |
300 |
|
特征频率 |
ft |
Vce=10v,Ic=75mA,f=1GHz |
|
5 |
|
GHz |
插入功率增益 |
[S21e]2 |
Vce=10v,Ic=75mA,f=1GHz |
|
10 |
|
dB |
三阶截距点的功率 |
IP3 |
Vce=10v,Ic=75mA,双音工作 |
|
33 |
|
dBm |
|
|
f1=1GHz,f2=0.99GHZ |
|
|
|
|
噪声系数 |
Nf |
Vce=10v,Ic=50mA,f=0.6GHz |
|
1.8 |
2.5 |
dB |
最大额定值 |
|
|
|
|
|
|
参数名称 |
符 号 |
数 值单 位 |
|
|
|
|
最大耗散功率 |
PT |
2W |
|
|
|
|
最大集电极直流电流 |
ICM |
200mA |
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|
|
|
最高结温 |
Tj |
150。C |
|
|
|
|
其它说明 |
|
|
|
|
|
|
芯片尺寸 |
|
0.37*0.56mm |
|
|
|
|
芯片厚度 |
|
0.2mm |
|
|
|
|
压焊点尺寸 |
|
Φ0.06mm |
|
|
|
|
背面金属 |
|
Au |
|
|
|
|
压焊点金属 |
|
Al |
|
|
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TH6060主要应用于各类CATV放大器及通信设备
选择TH6020和TH6060的理由：
外观图
